Magnetic memory device

磁気メモリ装置

Systeme de memoire magnetique

Abstract

A magnetic memory device in which the MRAM elements are magnetically shielded adequately against even a strong external magnetic field. Even if the MRAM elements are in the magnetic field of the environment where the magnetic memory device is installed, the operation is ensured without any problem. A magnetic random access memory (MRAM) (30) comprises a TMR element (10) in which fixed magnetization layers (4, 6) where the direction of magnetization is fixed and a magnetic layer (memory layer) (2) where the direction of magnetization can be changed are provided in the form of a multilayer. This magnetic random access memory (30) is mounted on a substrate mixedly together with another device (38) such as a DRAM. Magnetic shield layers (33, 34) are provided in, when viewed from above, the area that the MRAM element (30) occupies, and/or the distance (particularly the length or width) between the opposed sides of each of the magnetic shield layers (33, 34) is 15 mm or less.
L'invention concerne un système de mémoire magnétique dans laquelle des éléments MRAM sont blindés magnétiquement de manière appropriée, vis-à-vis de champs magnétiques extérieurs, même importants. L'opération peut être effectuée sans problème, même si les éléments MRAM se trouvent dans le champ magnétique de l'environnement dans lequel le système de mémoire magnétique est installé. Une mémoire à accès direct magnétique (MRAM) comprend un élément TMR (10) dans lequel sont prévues, sous forme de multicouche, des couches de magnétisation fixes (4, 6) où le sens de magnétisation est fixé et une couche magnétique (couche mémoire) (2) où le sens de magnétisation peut être changé. Cette mémoire à accès direct magnétique (30) est montée sur un substrat de manière mixte, conjointement avec un autre dispositif (38), tel qu'une mémoire RAM dynamique. Des couches de blindage magnétique (33, 34) sont prévues dans, si vue de dessus, la zone occupée par l'élément MRAM (30), et/ou la distance (notamment la longueur ou la largeur) entre les faces opposées de chacune des couches de blindage magnétique (33, 34) mesure 15 mm ou moins.
大きな外部磁界に対しても十二分にMRAM素子を磁気的にシールドし、MRAM素子が適用される環境からの磁界に対して問題のない動作を保証することができる磁気メモリ装置である。磁化方向が固定された磁化固定層(4)、(6)と、磁化方向の変化が可能な磁性層(記憶層)(2)とが積層されてなるTMR素子(10)からなる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)(30)がDRAM等の他の素子(38)と共に基体上に混載されており、MRAM素子(30)が占める面積領域に磁気シールド層(33)、(34)を設けるか、或いは/並びに、磁気シールド層(33)、(34)の対向辺間の距離(特に長さ又は幅)を15mm以下とする。

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-S5841480-AMarch 10, 1983Hitachi LtdManufacture for magnetic bubble memory device
    US-2002145902-A1October 10, 2002Mitsubishi Denki Kabushiki KaishaMagnetic memory device and magnetic substrate

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    Title
    See also references of EP 1575088A1

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