Switching element, switching element driving method, switching element manufacturing method, rewritable logic integrated circuit, and memory element

スイッチング素子、スイッチング素子の駆動方法および製造方法、書き換え可能な論理集積回路、メモリ素子

Element de commutation, procede d’entrainement d’element de commutation, procede de fabrication d’element de commutation, circuit integre logique reinscriptible et element de memoire

Abstract

A switching element comprises an ion conductive layer (4) where metal ions can migrate freely, a first electrode (1) in contact with the ion conductive layer (4), a second electrode (2) which is in contact with the ion conductive layer (4), so formed that the ion conductive layer (4) is sandwiched between the first and second electrodes (1, 2), and supplies metal ions to the ion conductive layer (4) or receives metal ions therefrom to deposit a metal corresponding to the metal ions. Furthermore, in the ion conductive layer (4) is preinstalled a channel (5) adapted for electrically interconnecting the first and second electrodes (1, 2) made of the metal, and having a predetermined thickness. By applying a voltage to the first electrode (1) with respect to the second electrode (2), an electrochemical reaction is progressed between the channel (5) and the second electrode (2), and thereby an electric characteristic is changed.
本発明のスイッチング素子は、金属イオンが内部を自由に移動できるイオン伝導層4と、イオン伝導層4と接触している第1の電極1と、イオン伝導部4と接触し、第1の電極1とともにイオン伝導層4を挟み込むように形成され、イオン伝導層4に金属イオンを供給し、または、イオン伝導層4から金属イオンを受け取って金属イオンに対応する金属を析出させる第2の電極2とを有する。さらに、イオン伝導層4には、第1の電極1と第2の電極2を電気的に接続するための、上記金属からなる所定の太さの導入路5があらかじめ設けられている。そして、第2の電極2に対する第1の電極1への電圧印加により導入路5と第2の電極2の間で進行する電気化学反応によって電気的特性が切り替わる。
La présente invention a trait à un élément de commutation comprenant une couche conductrice ionique (4) dans laquelle des ions métalliques peuvent migrer librement, une première électrode (1) en contact avec la couche conductrice ionique (4), une seconde électrode (2) en contact avec la couche conductrice ionique (4), formée de façon à ce que la couche conductrice ionique (4) soit interposée entre les première et seconde électrodes (1, 2), et amène les ions métalliques à la couche conductrice ionique (4) ou reçoive les ions métalliques de celle-ci pour déposer un métal correspondant aux ions métalliques. En outre, une voie (5) conçue pour interconnecter les première et seconde électrodes (1, 2), composée de métal, et ayant une épaisseur prédéterminée, est pré-installée dans la couche conductrice ionique (4). En appliquant une tension à la première électrode (1) par rapport à la seconde électrode (2), une réaction électrochimique progresse entre la voie (5) et la seconde électrode (2), modifiant ainsi une caractéristique électrique.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2000512058-ASeptember 12, 2000アクソン テクノロジーズ コーポレイション, アリゾナ ボード オブ リージェンツ,アクティング オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティプログラマブルメタライゼーションセル構造およびその作製方法

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (14)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2008053433-AMarch 06, 2008Nec Corp, 日本電気株式会社スイッチング素子の駆動方法
    JP-2008159760-AJuly 10, 2008National Institute Of Advanced Industrial & Technology, Sharp Corp, シャープ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所Variable-resistance nonvolatile memory element, creating method thereof, and nonvolatile semiconductor memory
    JP-2010141249-AJune 24, 2010Nec Corp, 日本電気株式会社抵抗変化素子及びその動作方法
    JP-2010503195-AJanuary 28, 2010アイメックImec抵抗スイッチング装置の抵抗スイッチング材料の制御された形成方法および該方法によって得られる装置
    JP-2012069612-AApril 05, 2012National Institute For Materials Science, 独立行政法人物質・材料研究機構電気化学トランジスタ
    JP-5446869-B2March 19, 2014日本電気株式会社スイッチング素子、およびスイッチング素子の製造方法
    JP-5454478-B2March 26, 2014日本電気株式会社スイッチング素子及びその製造方法
    JP-WO2008023437-A1January 07, 2010株式会社日立製作所半導体装置
    US-8237147-B2August 07, 2012Nec CorporationSwitching element and manufacturing method thereof
    US-8586958-B2November 19, 2013Nec CorporationSwitching element and manufacturing method thereof
    WO-2008023437-A1February 28, 2008Hitachi, Ltd.Semiconductor device
    WO-2009051105-A1April 23, 2009Nec CorporationSwitching element and switching element manufacturing method
    WO-2010079829-A1July 15, 2010日本電気株式会社Elément de commutation et son procédé de fabrication
    WO-2012039284-A1March 29, 2012独立行政法人物質・材料研究機構Electrochemical transistor